东京电子开拓出可破费 400 层 3D NAND 闪存的配置装备部署-著雍姑娘网

东京电子开拓出可破费 400 层 3D NAND 闪存的配置装备部署

时间：2025-03-22 07:51:26 来源：著雍姑娘网作者：百科阅读：683次

IT之家 10 月 17 日新闻，东京电开东京威力科创 / 东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林总体（Lam Research），拓出乐成开拓出可破费 400 层 3D NAND 闪存的可破配置装备部署，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的费层净支出。

破费 3D NAND 需要特意的配置配置装备部署，目上主要由美国公司泛林总体操作。装备IT之家往年 6 月曾经报道，部署东京电子开拓出全新蚀刻技术，东京电开初次将电蚀刻运用带入到高温规模中，拓出并缔造性地缔造了具备极高蚀刻速率的可破零星。

东京威力科创愿望凭仗着这项技术挑战泛林总体，费层与现有措施比照，配置新的装备蚀刻措施至少将破费率后退了 2.5 倍。

东京威力科创展现这种技术对于情景的部署有害影响也颇为小，公司预贩子户装置调试实现之后，东京电开可能在未来 2-3 年内开始破费 400 层 3D NAND 存储器；预估到 2027 年该规模产能比往年翻两番，抵达 20 亿美元。

东京电子上一财年销售的蚀刻配置装备部署价钱不逾越 39 亿美元，约占其总销售额的四分之一。在新技术的帮手下，该公司估量其中间销售额至少将削减一倍。

去年销售额抵达 200 亿美元的半导体行业蚀刻零星市场中，东京电子以 25% 的份额屈居第二，而美国 Lam Research 公司不断争先，占有半壁山河。

以前五年来，东京电子的研发支出削减了 77%，估量往年的研发支出将抵达创记实的 13.4 亿美元（IT之家备注：之后约 97.95 亿元国夷易近币）。

《400 层重叠 3D NAND 闪存将至，东京电子宣告开拓出全新蚀刻技术》

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(责任编辑：探索)